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Hynix拟提高明年NAND产量 削减DRAM产量

2005-12-12 10:07:05

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根据南韩经济日报引述Hynix未具名经理人报导，在消费电子制造商需求攀升下，Hynix明年将提高NAND快闪记忆体产量比重，由目前的30%提高至40%。 报导中表示，Hynix将降低动态随机存取记忆体(DRAM)产量，以增加NAND快闪记忆体产量。 根据世界半导体贸易统计协会 (WorldSemiconductor Trade Statistics)，明年全球NAND快闪记忆体销售将攀升28%，至130亿美元。 相较之下，DRAM料衰退1%，至260亿美元。